第一章化合物半導(dǎo)體相關(guān)介紹

1.1　半導(dǎo)體材料的種類介紹

1.1.1　材料定義及分類

1.1.2　第一代半導(dǎo)體

1.1.3　第二代半導(dǎo)體

1.1.4　第三代半導(dǎo)體

1.1.5　第四代半導(dǎo)體

1.2　化合物半導(dǎo)體相關(guān)概念

1.2.1　化合物半導(dǎo)體的定義

1.2.2　化合物半導(dǎo)體的分類

1.2.3　化合物半導(dǎo)體性能優(yōu)勢

1.2.4　化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)流程

第二章2017-2023年中國半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展綜合分析

2.1　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈分析

2.1.1　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)成

2.1.2　產(chǎn)業(yè)鏈上游分析

2.1.3　產(chǎn)業(yè)鏈中游分析

2.1.4　產(chǎn)業(yè)鏈下游分析

2.2　2017-2023年中國半導(dǎo)體市場分析

2.2.1　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程

2.2.2　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策匯總

2.2.3　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售規(guī)模

2.2.4　半導(dǎo)體細分市場結(jié)構(gòu)

2.2.5　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)區(qū)域分布

2.2.6　半導(dǎo)體市場競爭格局

2.2.7　半導(dǎo)體市場需求規(guī)模

2.3　2017-2023年中國半導(dǎo)體材料發(fā)展?fàn)顩r

2.3.1　半導(dǎo)體材料發(fā)展歷程

2.3.2　半導(dǎo)體材料市場規(guī)模

2.3.3　半導(dǎo)體材料競爭格局

2.3.4　半導(dǎo)體材料發(fā)展現(xiàn)狀

2.3.5　半導(dǎo)體材料驅(qū)動因素

2.3.6　半導(dǎo)體材料制約因素

2.3.7　半導(dǎo)體材料發(fā)展趨勢

2.4　2017-2023年第三代半導(dǎo)體發(fā)展深度分析

2.4.1　第三代半導(dǎo)體發(fā)展歷程

2.4.2　第三代半導(dǎo)體利好政策

2.4.3　第三代半導(dǎo)體發(fā)展現(xiàn)狀

2.4.4　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)能狀況

2.4.5　第三代半導(dǎo)體投資規(guī)模

2.4.6　第三代半導(dǎo)體競爭格局

2.4.7　第三代半導(dǎo)體規(guī)模預(yù)測

第三章2017-2023年中國化合物半導(dǎo)體發(fā)展解析

3.1　全球化合物半導(dǎo)體發(fā)展?fàn)顩r

3.1.1　市場發(fā)展規(guī)模

3.1.2　行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

3.1.3　市場競爭格局

3.1.4　主要應(yīng)用領(lǐng)域

3.1.5　英國發(fā)展優(yōu)勢

3.2　中國化合物半導(dǎo)體發(fā)展環(huán)境分析

3.2.1　行業(yè)的影響分析

3.2.2　化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策

3.2.3　化合物半導(dǎo)體地方政策

3.2.4　化合物半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展

3.2.5　化合物半導(dǎo)體行業(yè)地位

3.3　2017-2023年中國化合物半導(dǎo)體市場分析

3.3.1　市場規(guī)模分析

3.3.2　市場競爭格局

3.3.3　產(chǎn)品供應(yīng)狀況

3.3.4　產(chǎn)品價格分析

3.3.5　國內(nèi)廠商機遇

3.3.6　投資項目匯總

3.4　中國化合物半導(dǎo)體代工業(yè)務(wù)分析

3.4.1　化合物半導(dǎo)體代工業(yè)務(wù)需求

3.4.2　化合物半導(dǎo)體代工企業(yè)動態(tài)

3.4.3　第二代化合物半導(dǎo)體代工

第四章中國化合物半導(dǎo)體之砷化鎵（GaAs）發(fā)展分析

4.1　砷化鎵（GaAs）產(chǎn)業(yè)鏈分析

4.1.1　GaAs產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)成分析

4.1.2　GaAs材料特征與優(yōu)勢

4.1.3　GaAs制備工藝流程

4.1.4　中國GaAs產(chǎn)業(yè)鏈廠商

4.2　中國砷化鎵（GaAs）發(fā)展現(xiàn)狀分析

4.2.1　GaAs市場規(guī)模分析

4.2.2　GaAs市場競爭格局

4.2.3　產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)競爭優(yōu)勢

4.2.4　GaAs技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀

4.2.5　GaAs代工業(yè)務(wù)現(xiàn)狀

4.3　砷化鎵（GaAs）應(yīng)用領(lǐng)域分析

4.3.1　GaAs應(yīng)用市場結(jié)構(gòu)

4.3.2　GaAs下游主要廠商

4.3.3　GaAs射頻領(lǐng)域應(yīng)用

4.3.4　GaAs光電子領(lǐng)域應(yīng)用

第五章中國化合物半導(dǎo)體之氮化鎵（GaN）發(fā)展分析

5.1　氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展分析

5.1.1　GaN材料特征與優(yōu)勢

5.1.2　GaN產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)分析

5.1.3　GaN技術(shù)成熟度曲線

5.2　中國氮化鎵（GaN）市場運行分析

5.2.1　GaN元件市場規(guī)模狀況

5.2.2　GaN市場產(chǎn)能布局動態(tài)

5.2.3　GaN市場價格變動分析

5.2.4　GaN市場競爭格局分析

5.2.5　GaN射頻器件市場規(guī)模

5.2.6　GaN微波射頻產(chǎn)值狀況

5.2.7　GaN功率半導(dǎo)體市場規(guī)模

5.3　氮化鎵（GaN）應(yīng)用領(lǐng)域分析

5.3.1　GaN應(yīng)用市場結(jié)構(gòu)

5.3.2　GaN射頻領(lǐng)域應(yīng)用

5.3.3　GaN 5G宏基站應(yīng)用

5.3.4　GaNjy雷達領(lǐng)域應(yīng)用

5.3.5　GaN快充充電器應(yīng)用

第六章中國化合物半導(dǎo)體之碳化硅（SiC）發(fā)展分析

6.1　中國碳化硅（SiC）發(fā)展綜述

6.1.1　SiC材料特征與優(yōu)勢

6.1.2　SiC產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)分析

6.1.3　SiC關(guān)鍵原材料分析

6.1.4　SiC市場規(guī)模分析

6.1.5　SiC市場競爭格局

6.1.6　SiC市場參與主體

6.1.7　SiC晶片發(fā)展分析

6.1.8　SiC晶圓供需狀況

6.2　中國碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體市場分析

6.2.1　SiC功率半導(dǎo)體發(fā)展歷程

6.2.2　SiC與Si半導(dǎo)體對比分析

6.2.3　SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模

6.2.4　SiC功率半導(dǎo)體需求狀況

6.2.5　SiC功率器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

6.2.6　SiC功率器件關(guān)鍵核心技術(shù)

6.2.7　SiC功率器件市場規(guī)模預(yù)測

6.3　碳化硅（SiC）應(yīng)用領(lǐng)域分析

6.3.1　SiC下游主要應(yīng)用場景

6.3.2　SiC新能源汽車領(lǐng)域應(yīng)用

6.3.3　SiC充電樁領(lǐng)域應(yīng)用

第七章中國化合物半導(dǎo)體之磷化銦（InP）發(fā)展分析

7.1　磷化銦（InP）材料特征與優(yōu)勢分析

7.1.1　InP半導(dǎo)體電學(xué)性能突出

7.1.2　InP材料光電領(lǐng)域應(yīng)用占優(yōu)

7.1.3　InP單晶制備技術(shù)壁壘高

7.2　磷化銦（InP）光通信產(chǎn)業(yè)鏈分析

7.2.1　InP光通信產(chǎn)業(yè)鏈

7.2.2　上游襯底公司

7.2.3　中游器件公司

7.2.4　下游云廠商

7.3　磷化銦（InP）應(yīng)用市場分析

7.3.1　InP在光模塊中的應(yīng)用

7.3.2　InP應(yīng)用市場規(guī)模占比

7.3.3　InP應(yīng)用市場規(guī)模預(yù)測

第八章中國化合物半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域分析

8.1　電力電子行業(yè)

8.1.1　電力電子應(yīng)用市場結(jié)構(gòu)

8.1.2　電力電子產(chǎn)業(yè)規(guī)模分析

8.1.3　電力電子應(yīng)用現(xiàn)狀分析

8.2　5G行業(yè)

8.2.1　5G手機應(yīng)用前景分析

8.2.2　功率放大器應(yīng)用狀況

8.2.3　化合物半導(dǎo)體需求分析

8.2.4　第三代化合物半導(dǎo)體應(yīng)用

8.3　新能源汽車行業(yè)

8.3.1　新能源汽車銷量狀況

8.3.2　電動汽車半導(dǎo)體用量

8.3.3　汽車用功率器件需求

8.3.4　化合物半導(dǎo)體需求前景

8.4　光電行業(yè)

8.4.1　光模塊市場規(guī)模

8.4.2　數(shù)通光模塊需求分析

8.4.3　5G光模塊需求分析

8.4.4　在LED中的應(yīng)用狀況

第九章中國化合物半導(dǎo)體重點企業(yè)經(jīng)營分析

9.1　三安光電

9.1.1　企業(yè)發(fā)展概況

9.1.2　企業(yè)布局動態(tài)

9.1.3　經(jīng)營效益分析

9.1.4　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析

9.1.5　財務(wù)狀況分析

9.2　揚杰科技

9.2.1　企業(yè)發(fā)展概況

9.2.2　經(jīng)營效益分析

9.2.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析

9.2.4　財務(wù)狀況分析

9.2.5　核心競爭力分析

9.3　穩(wěn)懋半導(dǎo)體

9.3.1　企業(yè)發(fā)展歷程

9.3.2　業(yè)務(wù)布局分析

9.3.3　企業(yè)經(jīng)營狀況

9.3.4　5G手機PA市占率

9.3.5　核心競爭力分析

9.4　華潤微

9.4.1　企業(yè)發(fā)展概況

9.4.2　經(jīng)營效益分析

9.4.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析

9.4.4　財務(wù)狀況分析

9.4.5　核心競爭力分析

9.5　海特高新

9.5.1　企業(yè)發(fā)展概況

9.5.2　經(jīng)營效益分析

9.5.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析

9.5.4　財務(wù)狀況分析

9.5.5　核心競爭力分析

第十章2023-2029年中國化合物半導(dǎo)體投資前景及趨勢分析

10.1　中國半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展趨勢及前景

10.1.1　半導(dǎo)體行業(yè)融資規(guī)模

10.1.2　半導(dǎo)體行業(yè)投資現(xiàn)狀

10.1.3　半導(dǎo)體行業(yè)投資機遇

10.1.4　半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展趨勢

10.1.5　半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展前景

10.2　中國化合物半導(dǎo)體發(fā)展前景分析

10.2.1　化合物半導(dǎo)體投資機遇

10.2.2　化合物半導(dǎo)體需求前景

10.2.3　化合物半導(dǎo)體發(fā)展趨勢

10.3　 2023-2029年中國化合物半導(dǎo)體行業(yè)預(yù)測分析

10.3.1　2023-2029年化合物半導(dǎo)體影響因素分析

10.3.2　2023-2029年中國化合物半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)測（BY ）