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20N10-ASEMI中低壓MOS管20N10
型號(hào):20N10
品牌:ASEMI
封裝:TO-22AB
漏源電流:20A
漏源擊穿電壓:100V
RDS(ON)Max:0.12Ω
引腳數(shù)量:3
芯片個(gè)數(shù):
溝道類型:N溝道MOS管
漏電流:ua
特性:N溝道MOS管、場效應(yīng)管
工作溫度:-55℃~150℃
備受歡迎的20N10 MOS管
ASEMI品牌20N10是采用工藝芯片,該芯片具有良好的穩(wěn)定性及抗沖擊能力,能夠持續(xù)保證了20N10的漏源電流20A,漏源擊穿電壓100V.
?細(xì)節(jié)體現(xiàn)差距
20N10,ASEMI品牌,工藝芯片,工藝制造,該產(chǎn)品穩(wěn)定性高,抗沖擊能力強(qiáng)。
20N10具體參數(shù)為:漏源電流:20A,漏源擊穿電壓:100V,反向恢復(fù)時(shí)間: ns,封裝:TO-220AB