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25N120-ASEMI高壓MOS管25N120
型號(hào):25N120
品牌:ASEMI
封裝:TO-247
漏源電流:25A
漏源擊穿電壓:1200V
RDS(ON)Max:0.12Ω
引腳數(shù)量:3
芯片個(gè)數(shù):
溝道類型:N溝道MOS管
漏電流:ua
特性:N溝道MOS管、場(chǎng)效應(yīng)管
工作溫度:-55℃~150℃
備受歡迎的25N120 MOS管
ASEMI品牌25N120是采用工藝芯片,該芯片具有良好的穩(wěn)定性及抗沖擊能力,能夠持續(xù)保證了25N120的漏源電流25A,漏源擊穿電壓1200V.
?細(xì)節(jié)體現(xiàn)差距
25N120,ASEMI品牌,工藝芯片,工藝制造,該產(chǎn)品穩(wěn)定性高,抗沖擊能力強(qiáng)。
25N120具體參數(shù)為:漏源電流:25A,漏源擊穿電壓:1200V,反向恢復(fù)時(shí)間: ns,封裝:TO-247