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在一些非揮發(fā)性存儲(chǔ)器如相變存儲(chǔ)器(phase-change memory;pcm)、磁阻存儲(chǔ)器( resistive memory;m-ram)、電阻存儲(chǔ)器(resistive memory;rram)等技術(shù)已蓄勢(shì)待發(fā)、即將邁向商業(yè)量產(chǎn)門檻之際,ddr4將可能是末代的ddr存儲(chǔ)器,屆時(shí)電腦與軟體結(jié)構(gòu)將會(huì)出現(xiàn) 為劇烈的變動(dòng)。 nand flash逼近制程物理以提升容量密度 以浮閘式(floating gate)半導(dǎo)體電路所設(shè)計(jì)的nand flash非揮發(fā)性存儲(chǔ)器,隨著flash制程技術(shù)不斷進(jìn)化、單位容量成本不斷下降的情況下,已經(jīng)在智慧手機(jī)、嵌入式裝置與工控應(yīng)用上大量普及。 XTR115UA XTR116UA ISO124U OPA322AIDBVR TCA9555RTWR TRS3253EIRSMR INA240A1PWR INA240A2PWR ADS1112IDGSR ADS7953SRHBR DAC7611U TS3A27518ERTWR INA282AIDR DRV8832DGQR TL4242DRJR UC3710T UCC27712DR UCC27524ADR TRF7962ARHBR TRF7970ARHBR TRF7964ARHBR TPS54478RTER TPS74901RGWR OPA4197IDR INA821IDR