靜電基礎(chǔ)知識(shí)（3）：由靜電荷所引起的問(wèn)題主要有三種：靜電放電（ESD)、靜電吸附（ESA）和靜電放電引起的電磁波干擾（ESD Induced EMI）。

1、靜電放電（Electrostatic Discharge (ESD)）

當(dāng)一表面上有靜電荷時(shí)，它就有電位，若附近有另一不同的電位，產(chǎn)生電壓差，而距離又合符放電條件時(shí)，其電荷就以放電方式，把兩電位等同。在放電時(shí)所產(chǎn)生的放電電流是強(qiáng)大，通常在 Ampere 級(jí)，但放電時(shí)間十分短促，通常在 nanosecond 級(jí)或 GHz 級(jí)。

1.1、潛伏性的靜電放電 (ESD) 問(wèn)題

有些時(shí)候 ESD 的發(fā)生，并沒(méi)有把物體破壞，而只把某部份的品質(zhì)降低，這一現(xiàn)象便稱為潛伏性的ESD問(wèn)題。

請(qǐng)留意以下幾點(diǎn)：

1. 潛伏性的 ESD 問(wèn)題會(huì)累積起來(lái)而加深其嚴(yán)重性；

2. 潛伏性的 ESD 問(wèn)題表面上看來(lái)只影響了完成品的用家，但實(shí)際上亦影響了各層次的制造商，如保用費(fèi)、維修及公司的聲譽(yù)等等；

3. 潛伏性的ESD問(wèn)題無(wú)可否認(rèn)是一個(gè)非常嚴(yán)重的問(wèn)題，現(xiàn)今的科技仍未有辦法透過(guò)某些的測(cè)試把已含有此類問(wèn)題（已受損但應(yīng)正常工作的元件）的物件找出來(lái)。請(qǐng)注意，已受到破壞的元件，可以在工廠內(nèi)透過(guò)各種測(cè)試可以輕易地把它找出來(lái)，但已存有潛伏性的 ESD 問(wèn)題的元件，未必一定能透過(guò)高溫或老化測(cè)試把它找出來(lái)。

根據(jù)美國(guó) ESDA 協(xié)會(huì)，靜電放電可分為 3 種模式：

1. 人體放電模式 (Human Body Model (HBM)) ：物體與人放電；

2. 金屬放電模式 (Machine Model (MM)) ：物體與金屬放電；

3. 帶電器件放電模式 (Charged Device Model (CDM)) ：物體與帶有靜電荷的用具放電。

這 3 種模式，都是根據(jù)物體與不同對(duì)象之間放電時(shí)，放電路徑上的由電阻/電容/電感組成的阻抗，對(duì)所產(chǎn)生的放電能量/電流/脈沖，根據(jù)模式歸納，并系統(tǒng)化測(cè)試評(píng)定物體對(duì)靜電的敏感度，是電子/工業(yè)的重要指引。

2、靜電吸附（ESA）

當(dāng)有靜電荷在一物件表面時(shí)，它的靜電場(chǎng)會(huì)把附近異性的電荷微粒吸引到它的表面，亦會(huì)把附近不帶電的微粒極化，從而引致其隱性帶有異性電荷，吸引到它的表面上，其吸力與電場(chǎng)強(qiáng)度（即是表面上有多少電荷）成正比, 亦和與微粒的距離成平方反比，微粒吸附在帶靜電荷的表面時(shí)，故極難在沒(méi)有機(jī)械力的情形，這種靜電吸附的問(wèn)題，會(huì)出現(xiàn)下面幾個(gè)問(wèn)題：

1. 產(chǎn)品表面吸附塵埃微粒而受污染；

2. 產(chǎn)品被靜電吸附在包裝口不能掉進(jìn)包裝；

3. 產(chǎn)品之間互相吸附成團(tuán)而造成堵塞和阻礙流通；

4. 產(chǎn)品放下時(shí)受靜電影響而位置錯(cuò)放。

3、靜電放電引起的電磁波干擾（ESD Induced EMI）

由靜電放電所產(chǎn)生的電流脈沖約在1-10ns之間，即約100MHz至1GHz的水平，會(huì)在空間產(chǎn)生一相應(yīng)的電磁脈沖，這脈沖若與設(shè)備上的處理器或數(shù)據(jù)流的訊號(hào)頻率相若，則可能會(huì)做成干擾，影響設(shè)備正常運(yùn)作。

1. 混亂的程式指令

2. 混亂的資料

3. 不明之錯(cuò)誤信息

4. 微處理器無(wú)故停止運(yùn)作

5. 不真實(shí)存在之粒子

6. 校準(zhǔn)失效

7. 軟件錯(cuò)誤的假象