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IXFA14N85XHV-ASEMI代理艾賽斯MOS管IXFA14N85XHV

作者:深圳市強元芯電子有限公司 來源:asemi888 發(fā)布時間:2023-06-10 瀏覽:17
IXFA14N85XHV-ASEMI代理艾賽斯MOS管IXFA14N85XHV

編輯:ll

IXFA14N85XHV-ASEMI代理艾賽斯MOSIXFA14N85XHV

型號:IXFA14N85XHV

品牌:IXYS/艾賽斯

封裝:TO-263

漏源電流:14A

漏源擊穿電壓:850V

RDSONMax550mΩ

引腳數(shù)量:3

溝道類型:N溝道MOS

特性:高功率密度、易于安裝、節(jié)省的空間

芯片材質(zhì):

封裝尺寸:如圖

特性:高壓MOS管、N溝道MOS

工作結(jié)溫-55℃~150

IXFA14N85XHV場效應(yīng)管

IXFA14N85XHV的電性參數(shù):漏源電流14A;漏源擊穿電壓850V

IXFA14N85XHV應(yīng)用:

開關(guān)模式和諧振模式

電源

DC-DC轉(zhuǎn)換器

PFC電路

交流和直流電機驅(qū)動

機器人與伺服控制

鄭重聲明:資訊 【IXFA14N85XHV-ASEMI代理艾賽斯MOS管IXFA14N85XHV】由 深圳市強元芯電子有限公司 發(fā)布,版權(quán)歸原作者及其所在單位,其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)(企業(yè)庫m.nnfsds.com)證實,請讀者僅作參考,并請自行核實相關(guān)內(nèi)容。若本文有侵犯到您的版權(quán), 請你提供相關(guān)證明及申請并與我們聯(lián)系(qiyeku # qq.com)或【在線投訴】,我們審核后將會盡快處理。
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