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IXFA14N85XHV-ASEMI代理艾賽斯MOS管IXFA14N85XHV
型號:IXFA14N85XHV
品牌:IXYS/艾賽斯
封裝:TO-263
漏源電流:14A
漏源擊穿電壓:850V
RDS(ON)Max:550mΩ
引腳數(shù)量:3
溝道類型:N溝道MOS管
特性:高功率密度、易于安裝、節(jié)省的空間
芯片材質(zhì):
封裝尺寸:如圖
特性:高壓MOS管、N溝道MOS管
工作結(jié)溫:-55℃~150℃
IXFA14N85XHV場效應(yīng)管
IXFA14N85XHV的電性參數(shù):漏源電流14A;漏源擊穿電壓850V
IXFA14N85XHV應(yīng)用:
開關(guān)模式和諧振模式
電源
DC-DC轉(zhuǎn)換器
PFC電路
交流和直流電機驅(qū)動
機器人與伺服控制