氮化鎵GaN氮化鎵GaN wafer

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Specifications:

Item	GaN-FS-N
Dimensions	Ф50.8mm±1mm
Thickness	300 ± 25 μm
Orientation	C-axis(0001) ± 0.5°
Orientation Flat	(1-100) ± 0.5°, 16.0 ±1.0mm
Secondary Orientation Flat	(11-20) ± 3°, 8.0 ±1.0mm
TTV	≤15 μm
BOW	≤20 μm
Conduction Type	N-type
Resistivity(300K)	< 0.5 Ω·cm
Dislocation Density	Less than 5x106 cm-2
Useable Surface Area	> 90%
Polishing	Front Surface: Ra < 0.2nm. Epi-ready polished Back Surface: Fine ground
Package	Packaged in a class 100 clean room environment, in single wafer containers, under a nitrogen atmosphere.

Item	GaN-FS-10
Dimensions	10.0mm×10.5mm
Thickness	300 ± 25 μm
Orientation	C-axis(0001) ± 0.5°
TTV	≤15 μm
BOW	≤20 μm
Conduction Type	N-type
Resistivity(300K)	< 0.5 Ω·cm
Dislocation Density	Less than 5x106 cm-2
Useable Surface Area	> 90%
Polishing	Front Surface: Ra < 0.2nm. Epi-ready polished Back Surface: Fine ground

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