應(yīng)用于{gx}太陽能電池MWT (Metal Wrap Through)制程,和EWT (Emitter Wrap Through)制程,利用激光在太陽能電池表面打孔,金屬環(huán)繞穿通電池和發(fā)射極環(huán)繞穿通電池,其機(jī)理就是通過激光鉆孔技術(shù)將電池正面收集的能量穿過電池再轉(zhuǎn)移至電池背面。
背接觸可從背面和正面雙面集電,有利于電池的電氣連接,而且由于背面接觸不再受陰影效應(yīng)的限制,從而降低了電阻損耗。產(chǎn)能高,打孔速度可達(dá)1500/s,受熱面積小,自動(dòng)進(jìn)料出料,界面易操作。
Drilling of si wafer for back contact of solar cells(MWT technology)
Specification:
適用硅片單晶/多晶硅片 125mm×125mm/156mm×156mm
CCD自動(dòng)定位
低熱影響區(qū)