種子是慢慢浮出熔化物的，種子和熔化物間的表面張力在子晶表面上形成一層薄的硅膜，然后冷卻。冷卻時，已熔化硅中的原子會按照子晶的晶體結(jié)構(gòu)自我定向。硅錠wq長大時，它的初始直徑要比最終晶圓片要求的直徑大一點。

硅片回收,電池片回收,原生多晶回收,銀漿布回收,單晶硅回收,多晶硅回收,太陽能電池片回收,光伏組件回收,電子回收,金屬回收,電路板回收,藍(lán)寶石回收等。

多晶硅是很多具有不同晶向的小單晶體單獨形成的，不能用來做半導(dǎo)體電路。多晶硅必須融化成單晶體，才能加工成半導(dǎo)體應(yīng)用中使用的晶圓片。加工硅晶片生成一個硅錠要花一周到一個月的時間，這取決于很多因素，bao括大小、質(zhì)量和終端用戶要求。超過75%的單晶硅晶圓片都是通過Czochralski(CZ，也叫提拉法)方法生長的。

硅片回收,電池片回收,原生多晶回收,銀漿布回收,單晶硅回收,多晶硅回收,太陽能電池片回收,光伏組件回收,電子回收,金屬回收,電路板回收,藍(lán)寶石回收等。

即使2014年的支出已呈大幅度增長態(tài)勢，前道fab廠的支出仍需在2014年增長至少49%，才能使得設(shè)備支出回到2007年的水平。此外，設(shè)備的支出計劃也取決于全球經(jīng)濟的持續(xù)復(fù)蘇情況。SEMI全球集成電路制造廠觀測報告(SEMIWorldFabForecast)預(yù)測，2011年前道fab的支出額將略遜于2007年，達到423億美元。

        硅片回收,電池片回收,原生多晶回收,銀漿布回收,單晶硅回收,多晶硅回收,太陽能電池片回收,光伏組件回收,電子回收,金屬回收,電路板回收,藍(lán)寶石回收等。