150度25LC系列存儲(chǔ)器

我司供應(yīng)如下高溫產(chǎn)品：

150度175度高溫晶振，150度高溫單片機(jī)，150度175度200度以上高溫電容，155度175度200度以上高溫電阻，165度200度高溫電感，150度175度高溫存儲(chǔ)器，150度175度200度高溫AD，150度175度210度高溫運(yùn)放，200度壓力傳感器，23芯高溫連接器，各種集成電路等。

移動(dòng)同步動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器 (Mobile SDRAM)：存儲(chǔ)組件運(yùn)行和待機(jī)電流非常低而容量卻很大，。移動(dòng)同步動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器 (Mobile SDRAM) 可與傳統(tǒng)的同步動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器 (SDRAM) 兼容，非常適用于 移動(dòng)通訊設(shè)備。工作電壓：3.3伏，2.5伏甚至低至與移動(dòng)雙倍數(shù)據(jù)速率 (mobile DDR) 相同的1.8V同步動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器使用較為節(jié)省空間的球形網(wǎng)格陣列 (BGA) 進(jìn)行封裝，接觸區(qū)域 在其下面。

150度存儲(chǔ)器FLASH

我司供應(yīng)如下高溫產(chǎn)品：

150度175度高溫晶振，150度高溫單片機(jī)，150度175度200度以上高溫電容，155度175度200度以上高溫電阻，165度200度高溫電感，150度175度高溫存儲(chǔ)器，150度175度200度高溫AD，150度175度210度高溫運(yùn)放，200度壓力傳感器，23芯高溫連接器，各種集成電路等。

內(nèi)儲(chǔ)存器（內(nèi)存）：

內(nèi)儲(chǔ)存器直接與CPU相連接，儲(chǔ)存容量較小，但速度快，用來(lái)存放當(dāng)前運(yùn)行程序的指令和數(shù)據(jù)，并直接與CPU交換信息。內(nèi)儲(chǔ)存器由許多儲(chǔ)存單元組成，每個(gè)單元能存放一個(gè)二進(jìn)制數(shù)或一條由二進(jìn)制編碼表示的指令。內(nèi)儲(chǔ)存器是由隨機(jī)儲(chǔ)存器和只讀儲(chǔ)存器構(gòu)成的．

150度高溫存儲(chǔ)器

150度高溫存儲(chǔ)器 我司目前僅有25LC系列，H 150度溫度級(jí)別小容量64K bit現(xiàn)貨，數(shù)量不多歡迎選購(gòu)。另外其同系列，256k bit. 25LC640A  25LC256.如有興趣，歡迎致電本司。

內(nèi)部存儲(chǔ)器與外部存儲(chǔ)器一般情況下，當(dāng)確定了存儲(chǔ)程序碼和數(shù)據(jù)所需要的存儲(chǔ)空間之后，設(shè)計(jì)工程師將決定是采用內(nèi)部存儲(chǔ)器還是外部存儲(chǔ)器。設(shè)計(jì)工程師必須確定對(duì)存儲(chǔ)的需求將來(lái)是否會(huì)增長(zhǎng)，以及是否有某種途徑可以升級(jí)到碼空間更大的微控制器。基于成本慮，人們通常選擇能滿足應(yīng)用要求的存儲(chǔ)器容量小的微控制器，因此在預(yù)測(cè)碼規(guī)模的時(shí)候要必須特別小心，因?yàn)榇a規(guī)模增大可能要求更換微控制器。市場(chǎng)上存在各種規(guī)模半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的外部存儲(chǔ)器器件，我們很容易通過(guò)增加存儲(chǔ)器來(lái)適應(yīng)碼規(guī)模的增加。有時(shí)這意味著以封裝尺寸相同但容量更大的存儲(chǔ)器替現(xiàn)有的存儲(chǔ)器，或者在總線上增加存儲(chǔ)器。即使微控制器帶有內(nèi)部存儲(chǔ)器，也可以通過(guò)增加外部串行EEPROM或閃存來(lái)滿足系統(tǒng)對(duì)非易失性存儲(chǔ)器的需求。