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二極管、IGBT和MOSFET的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀
二極管、IGBT和MOSFET的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀

二極管、IGBT和MOSFET的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀

二極管、IGBT和MOSFET的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀 相關(guān)信息由 西安易恩電氣科技有限公司提供。如需了解更詳細(xì)的 二極管、IGBT和MOSFET的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀 的信息,請(qǐng)點(diǎn)擊 http://m.nnfsds.com/b2b/xiangzi.html 查看 西安易恩電氣科技有限公司 的詳細(xì)聯(lián)系方式。

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陜西省西安市高陵縣融豪工業(yè)城V5
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西安易恩電氣科技有限公司

    西安易恩電氣坐落于西安渭北工業(yè)裝備區(qū),是陜西省政府重點(diǎn)支持的高新技術(shù)企業(yè)。公司專注于研發(fā)、生產(chǎn)和銷售半導(dǎo)體封裝、測(cè)試設(shè)備。現(xiàn)已成為國(guó)內(nèi)電力電子行業(yè)知名的測(cè)試方案供應(yīng)商。公司以自主研發(fā)生產(chǎn)的“軌道機(jī)車半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)”系列產(chǎn)品為主導(dǎo),在此基礎(chǔ)上相繼推出全自動(dòng)大功率IGBT參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),分立器件綜合測(cè)試儀,功率器件圖示系統(tǒng),晶體管圖示儀,MOS動(dòng)靜態(tài)測(cè)試測(cè)試儀,晶閘管測(cè)試儀,雪崩、浪涌、高溫阻斷、高溫反偏、柵電荷測(cè)試系統(tǒng)等系列產(chǎn)品。廣泛應(yīng)用于科研院所、能源、電力電子、交通、船舶制造、高校等諸多領(lǐng)域。
    完善的基礎(chǔ)設(shè)施和{yx}的人才隊(duì)伍一直是企業(yè)強(qiáng)化建設(shè)的重點(diǎn)。公司設(shè)有測(cè)試實(shí)驗(yàn)室,調(diào)試中心,產(chǎn)品研發(fā)中心,服務(wù)團(tuán)隊(duì)等多個(gè)技研服務(wù)部門,以滿足不同客戶對(duì)測(cè)試解決方案的多層次需求。公司研發(fā)人員占總?cè)藬?shù)的70%,碩士學(xué)歷以上人員占75%,專業(yè)技術(shù)人員占比超過(guò)66%,成員大多來(lái)自航天、航空、半導(dǎo)體及微電子相關(guān)研究院所及電力電子行業(yè)內(nèi)的資深人士。公司通過(guò)了質(zhì)量體系ISO9000認(rèn)證及陜西省軟件企業(yè)認(rèn)定,承擔(dān)國(guó)家科技部創(chuàng)新基金項(xiàng)目等,目前獲得發(fā)明專利4項(xiàng),實(shí)用新型專利15項(xiàng),軟件著作權(quán)3項(xiàng)。
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●規(guī)格環(huán)境

尺寸:250×570×280(mm)

質(zhì)量:15kg

環(huán)境溫度:15~40℃

工作電壓;AC220V±10%(無(wú)嚴(yán)重諧波)

電網(wǎng)頻率:50Hz

通信接口;USB RS232

功能單元

參數(shù)指標(biāo)

基本參數(shù)

功率源:3000V/200A

柵極-發(fā)射極漏電流

IGES: 0.1-10uA±2%±0.01uA

IGES

集電極電壓VCE: 0V

柵極電壓 Vge: 5-40V±3%±0.1V

 

 

集電極電壓VCES: 200-3000V±2%±10V

集電極-發(fā)射極電壓

集電極電流ICES: 0.1-1mA±3%±0.01mA

 

柵極電壓 Vge: 0V

集電極-發(fā)射極飽和

VCESat:0.1-5V±2%±0.01V

電壓VCESat

柵極電壓Vge: ±15V±2%±0.2V

集電極電流ICE: 10-100A±2%±1A

 

集電極-發(fā)射極截止

集電極電壓VCE: 200-3000V±3%

集電極電流ICES: 0.1-1mA±3%±0.01mA

電流ICES

柵極電壓VGE: 0V

 

柵極-發(fā)射極閾值電

VGEth: 1-10V±2%±0.1V

Vce=15V

 

二極管壓降測(cè)試

VF: 0.1-5V±2%±0.01V

IF:5-100A±2%±1A

 

 

Vge: 0V

反向擊穿BVR

BVR200-3000V±2%±10V

反向漏電流IR

IR0.1-10mA±3%±0.01mA

 

導(dǎo)通電阻RDSon

1-10mΩ±2%±0.1 mΩ

10-50mΩ±2%±0.5 mΩ

鄭重聲明:產(chǎn)品 【二極管、IGBT和MOSFET的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀】由 西安易恩電氣科技有限公司 發(fā)布,版權(quán)歸原作者及其所在單位,其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)(企業(yè)庫(kù)m.nnfsds.com)證實(shí),請(qǐng)讀者僅作參考,并請(qǐng)自行核實(shí)相關(guān)內(nèi)容。若本文有侵犯到您的版權(quán), 請(qǐng)你提供相關(guān)證明及申請(qǐng)并與我們聯(lián)系(qiyeku # qq.com)或【在線投訴】,我們審核后將會(huì)盡快處理。
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