吸收設(shè)備
吸收法采用低揮發(fā)或不揮發(fā)性溶劑對(duì)進(jìn)行吸收，再利用VOCs和吸收劑物理性質(zhì)的差異進(jìn)行分離。
含VOCs的氣體自底部進(jìn)入塔內(nèi)，在上升過程中與來自塔頂?shù)奈談?，凈化后的氣體由塔頂排出。吸收了VOCs的吸收劑通過熱交換器后，進(jìn)入汽提塔頂部，在溫度高于吸收溫度或壓力低于吸收壓力的條件下。解吸后的吸收劑經(jīng)過溶劑冷凝后回到吸收塔。解吸出的VOCs氣體經(jīng)過冷凝器、后以較純的VOCs氣體離開汽提塔，被回收利用。該工藝適合于VOCs濃度較高、溫度較低的氣體凈化，其他情況下需要作相應(yīng)的工藝調(diào)整。
吸附設(shè)備
在用多孔性固體物質(zhì)處理流體混合物時(shí)，流體中的某一組分或某些組分可被吸表面并濃集其上，此現(xiàn)象稱為吸附。吸附處理廢氣時(shí)，吸附的對(duì)象是，氣固吸附。被吸附的氣體組分稱為，多孔固體物質(zhì)稱為吸附劑。
固體表面吸附了吸附質(zhì)后，一部被吸附的吸附質(zhì)可從表面脫離，此現(xiàn)附。而當(dāng)吸附進(jìn)行一段時(shí)間后，由于表面吸附質(zhì)的濃集，使其吸附能力明顯下降而吸附凈化的要求，此時(shí)需要采用一定的措施使吸附劑上已吸附的吸附質(zhì)，以協(xié)的吸附能力，這個(gè)過程稱為吸附劑的再生。因此在實(shí)際吸附工程中，正是利用吸附一再生一再吸附的循環(huán)過程，達(dá)到除去廢氣中污染物質(zhì)并回收廢氣中。
凈化設(shè)備
燃燒法用于處理高濃度與有惡臭的化合物很有效，其原理是用過量的空氣使這些雜質(zhì)燃燒，大多數(shù)生成二氧化碳和，可以排放到大氣中。但當(dāng)處理有機(jī)化合物時(shí)，燃燒生成產(chǎn)物中HCl或SO2，需要對(duì)燃燒后氣體進(jìn)一步處理。
治理設(shè)備
就是處于電離狀態(tài)的氣體，其英文名稱是，它是由美國科學(xué) muir，于1927年在研究下汞蒸氣中放電現(xiàn)象時(shí)命名的。等離子體由大量的子、、、光子和自由基等組成，但電子和正離子的電荷數(shù)必須體表現(xiàn)出，這就是“等離子體”的含義。等離子體具有導(dǎo)電和受電磁影響的許多方面與固體、液體和氣體不同，因此又有人把它稱為物質(zhì)的第四種狀態(tài)。根據(jù)狀態(tài)、溫度和，等離子體通?？梢苑譃楹偷蜏氐入x子體（包子體和冷等離子體）。其中高溫等離子體的接近1，各種溫度幾乎相同系處于狀態(tài)，它主要應(yīng)用在研究方面。而低溫等離子體則學(xué)非平衡狀態(tài)，各種粒子溫度并不相同。其中( Te)≥離子溫度(Ti)，可達(dá)104K以上，而其離子和的溫度卻可低到300～500K。一般氣體放電子體屬于低溫等離子體。
截至2013年，對(duì)的作用機(jī)理研究認(rèn)為是粒子的結(jié)果。低溫等離富含電子、離子、自由基和分子，其中高能電子與氣體分子（原子）發(fā)生撞，將成分子（原子）的內(nèi)能，發(fā)生激發(fā)、和電離等一系列過秸處于活化狀態(tài)。一方面打開了氣體，生成一些單分子和固體微粒；另一力生．、
H2O2．等自由基和氧化性極強(qiáng)的
O3，在這一過程中高能電子起決定性作用，離子的只有副作用。常壓下，產(chǎn)生的高度非平衡等離子體中電子溫層氏度）遠(yuǎn)高于氣體溫度（室溫100℃左右）。在非平衡等離子體中可能發(fā)生各種類型的化學(xué)反應(yīng)，主要決定于電子的平均能量、、氣體溫度、有害氣體分子濃度和≥氣體成分。這為一些需要很大的反應(yīng)如大氣中難降解污染物的去除提供了另外也可以對(duì)低濃度、高流速、大風(fēng)量的含揮發(fā)性和含硫類污染物等進(jìn)行處理。
常見的產(chǎn)生等離子體的方法是氣體放電，所謂氣體放電是指通過某種機(jī)制使一電子從氣體原子或分子中電離出來，形成的氣體媒質(zhì)稱為電離氣體，如果電離氣由外電場(chǎng)產(chǎn)生并形成，這種現(xiàn)象稱為。根據(jù)放電產(chǎn)生的機(jī)理、氣體的壓j源性質(zhì)以及電極的幾何形狀、主要分為以下幾種形式：①；③；④放電；⑤。無論哪一種形式產(chǎn)生的等離子體，都需要。容易打火產(chǎn)生危險(xiǎn)。由于對(duì)諸如的治理，一般要求在常壓下進(jìn)行。
5、和生物凈化設(shè)備
光催化是常溫深度反應(yīng)技術(shù)。光催化氧化可在室溫下將水、空氣和土壤中wq氧化成md無害的產(chǎn)物，而傳統(tǒng)的高溫焚燒技術(shù)則需要在極高的溫度下才可將污染物摧毀，即使用常規(guī)的催化、氧化方法亦需要幾百度的高溫。
從理論上講，只要半導(dǎo)體吸收的光能不小于其，就足以激發(fā)產(chǎn)生，該半導(dǎo)體就有可能用作。常見的單一化合物光催化劑多為或硫化物，如 Ti0。、Zn0、ZnS、CdS及PbS等。這些催化劑各自對(duì)特定反應(yīng)有突出優(yōu)點(diǎn)，具體研究中可根據(jù)需要選用，如CdS半導(dǎo)體帶隙能較小，跟中的近紫外光段有較好的匹配性能，可以很好地利用自然光能，但它容易發(fā)生光腐蝕，使用壽命有限。相對(duì)而言，Ti02的綜合性能較好，是最廣泛使用和研究的單一化合物光催化劑。
