HMDS晶片涂膠烘箱真空預(yù)處理自動化
HMDS預(yù)處理真空烘箱
三、HMDS烘箱技術(shù)參數(shù)
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規(guī)格型號
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PVD-090-HMDS
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PVD-210-HMDS
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容積（L）
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90L
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210L
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控溫范圍
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RT+10～250℃
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溫度分辨率
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0.1℃
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控溫精度
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±0.5℃
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加熱方式
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內(nèi)腔體外側(cè)加溫
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隔板數(shù)量
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2PCS
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3PCS
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真空度
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<133Pa（真空度范圍100～100000pa）
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真空泵
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抽氣速度4升／秒，型號DM4
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電源/功率
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AC220/50Hz，3KW
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AC380V/50Hz，4KW
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內(nèi)膽尺寸W*D*H
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450×450×450
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560×640×600
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外形尺寸W*D*H
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800×630×850
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1220×930×1755
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外形尺寸（新款）
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980×655×1600
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1220×930×1755
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PVD-090-HMDS圓形視窗機型外尺寸（含三色燈高度）：940×645×1670（mm）
連接管：316不銹鋼波紋管，將真空泵與真空箱密封無縫連接
四、HMDS預(yù)處理系統(tǒng)的原理：
HMDS預(yù)處理系統(tǒng)通過對烘箱HMDS預(yù)處理過程的工作溫度、處理時間、處理時保持時間等參數(shù)可以在硅片、基片表面均勻涂布一層HMDS，降低了HMDS處理后的硅片接觸角，降低了光刻膠的用量，提高光刻膠與硅片的黏附性。
五、HMDS預(yù)處理系統(tǒng)的一般工作流程：
首先確定烘箱工作溫度。典型的預(yù)處理程序為：打開真空泵抽真空，待腔內(nèi)真空度達到某一高真空度后，開始充入氮氣，充到某低真空度后，再次進行抽真空、充入氮氣的過程，到達設(shè)定的充入氮氣次數(shù)后，開始保持一段時間，使硅片充分受熱，減少硅片表面的水分。然后再次開始抽真空，充入HMDS氣體，在到達設(shè)定時間后，停止充入HMDS藥液，進入保持階段，使硅片充分與HMDS反應(yīng)。當(dāng)達到設(shè)定的保持時間后，再次開始抽真空。充入氮氣，完成整個作業(yè)過程。HMDS與硅片反應(yīng)機理如圖：首先加熱到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS與表面的OH一反應(yīng)，在硅片表面生成硅醚，除氫鍵作，從而使極性表面變成非極性表面。整個反應(yīng)持續(xù)到空間位阻(三甲基硅烷基較大)阻止其進一步反應(yīng)。
開箱溫度可以由user自行設(shè)定來降低process時間，正常工藝在50分鐘-90分鐘(按產(chǎn)品所需而定烘烤時間),為正常工作周期不含降溫時間（因降溫時間為常規(guī)降溫））。
六、尾氣排放：
多余的HMDS蒸汽（尾氣）將由真空泵抽出，排放到專用廢氣收集管道。在無專用廢氣收集管道時需做專門處理。
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