IGBT等新型功率器件的全參數(shù)自動(dòng)測(cè)試是當(dāng)前世界半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)之一,目前國際上僅有幾家專業(yè)設(shè)備廠家可以生產(chǎn),進(jìn)口測(cè)試系統(tǒng)的高額售價(jià)和售后服務(wù)不能保證,讓國內(nèi)不斷擴(kuò)大的生產(chǎn)和應(yīng)用業(yè)望而卻步, 成為國內(nèi)新型功率半導(dǎo)體發(fā)展的瓶徑. 2007年11月國家發(fā)改委和科技部就”電力電子專題項(xiàng)目”專門下?lián)?00萬元?jiǎng)?chuàng)新基金支持西安電力電子技術(shù)研究所開發(fā)該類測(cè)試系統(tǒng). 目前我公司提供的該項(xiàng)新產(chǎn)品采用模塊式功放結(jié)構(gòu), 主極電流可提供400A/500A/1000A/1250A選項(xiàng), 2500A/5000A選項(xiàng)可以根據(jù)用戶需要定制. 該產(chǎn)品可測(cè)IGBT參數(shù)包括了ICES, BVCES, IGESF, IGESR, VGETH, VGEON, VCESAT, ICON,VF, GFS, rCE等全直流參數(shù), 所有小電流指標(biāo)保證1%重復(fù)測(cè)試精度, 大電流指標(biāo)保證2%以內(nèi)重復(fù)測(cè)試精度, 達(dá)到目前國外進(jìn)口同類產(chǎn)品{lx1}水平. 該產(chǎn)品可針對(duì)目前封裝的多單元IGBT特征, 根據(jù)用戶需要提供4/ 8/ 20單元掃描測(cè)試適配器, 從而實(shí)現(xiàn)多單元封裝器件的一次性全參數(shù)測(cè)試. 與進(jìn)口專用測(cè)試系統(tǒng)相比, 該產(chǎn)品可同時(shí)對(duì)各種功率的其它10-18多類半導(dǎo)體分立器件進(jìn)行全參數(shù)測(cè)試, 具有更高的使用效率. 與國外同類產(chǎn)品相比, 該產(chǎn)品具有更高的性能價(jià)格比和國外廠家不能做到的優(yōu)質(zhì)售后服務(wù)保證.