方法的優(yōu)缺點(diǎn)比較

　　各種方法都有其有缺點(diǎn)：從大的方面講，直接PECVD法對樣品表面有損傷，會增加表面少子的復(fù)合，但是也正是由于其對表面的轟擊作用，可以去除表面的一些自然氧化層，使得表面的雜質(zhì)原子得到抑制，另外直接法可以使得氫原子或氫離子更深入地進(jìn)入到多晶硅晶界中，使得晶界鈍化更充分。

　　使用不同頻率的PECVD系統(tǒng)，也各有一定的優(yōu)缺點(diǎn)：

　?。?）頻率越高均勻面積越小，越難于達(dá)到大面積均勻性。

　?。?）頻率越低對硅片表面的損傷越嚴(yán)重。

　?。?）頻率越低離子進(jìn)入硅片越深，越有利于多晶硅晶界的鈍化。

煙道氣中氧含量過高應(yīng)怎樣處理？

答：煙道氣中氧含量過高是由于爐體堵漏不好，造成外界空氣進(jìn)入爐膛內(nèi)部，風(fēng)門開得過大以及煙道擋板開度偏大，爐膛負(fù)壓值高，使大量空氣進(jìn)入爐內(nèi)造成煙氣中氧含量過高，過剩空氣系數(shù)α增大而造成爐子的熱效率降低。應(yīng)加強(qiáng)爐體的堵漏，及時(shí)調(diào)節(jié)好風(fēng)門、汽門、油門和檔板（俗稱三門一板），控制合理的過?？諝庀禂?shù)，要控制合理的過?？諝庀禂?shù)還必須建立定期的煙氣采樣分析制度，對數(shù)據(jù)要認(rèn)真分析。

化學(xué)氣相沉積(CVD)是半導(dǎo)體工業(yè)中應(yīng)用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術(shù)，bao括大范圍的絕緣材料，大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料。從理論上來說，它是很簡單的：兩種或兩種以上的氣態(tài)原材料導(dǎo)入到一個反應(yīng)室內(nèi)，然后他們相互之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成一種新的材料，沉積到晶片表面上。淀積氮化硅膜(Si3N4)就是一個很好的例子，它是由硅烷和氮反應(yīng)形成的。