小功率LED通常采用環(huán)氧樹脂作為封裝材料，但是環(huán)氧樹脂對400-459nm的光線吸收率高達45%，很容易由于長期吸收這種短波長光線以后產(chǎn)生的老化而使光衰嚴(yán)重，50%光衰的壽命不到1萬小時。因而在大功率LED中必須采用硅膠作為封裝材料。硅膠對同樣波長光線的吸收率不到1%。從而可以把同樣光衰的壽命延長到4萬小時。由表中可見，Cree公司的LED的熱阻因為采用了碳化硅作基底，要比其他公司的熱阻至少低一倍。大功率LED為了改進散熱通常在基底下面再放一塊可焊接的銅底板以便焊到散熱器上去。這些熱阻實際上都是在這個銅底板上測得的。

燈桿成型后，內(nèi)外熱鍍鋅防腐處理，鍍鋅工藝經(jīng)過酸洗、鍍鋅、水洗、磷化、鈍化等工藝過程，表面光潔，無色差，且鍍層均勻性好，具有很強的防腐性能要求。鍍鋅處理后噴塑，保證塑層的色度、硬度、附著力等技術(shù)性能要求。 光源：高瓦數(shù)節(jié)能燈或高壓納燈、金鹵燈，照射角度大，范圍廣，透霧性強，照度均勻，壽命長達50000小時，能滿足中華燈分散照明要求 。

COB平面光源加氮化物紅粉后，顯色指數(shù)提高，但顏色會跑偏，光效會隨之降低。亮度與顯指不能同時提高，提高COB平面光源顯色指數(shù)關(guān)鍵是讓紅粉激發(fā)光譜寬帶加寬，趨向長波方向，但亮度自然會降低。就目前COB封裝技術(shù)而言，一般能做到80~90，暖白光會低5~8個LM。顯指高于90以上，光強亮度明顯會降低。LED平面光源過UL安規(guī)認(rèn)證一般要求耐高壓2200V以上，出口日本市場要求耐高壓3800V。MCOB平面光源是多杯多芯片集成封裝結(jié)構(gòu)，多杯邊緣絕緣層打通，受高壓就會擊穿，引起斷路。而COB平面光源的基板表層具有結(jié)實的絕緣層，絕緣層的介電常數(shù)為2.0~4.0,，絕緣性能好，耐2200V以上高壓的沖擊。LED平面光源能耐多高的電壓與LED平面光源絕緣層的絕緣性能有關(guān)，絕緣性能與其介電常數(shù)有關(guān)。