東莞市鼎偉靶材有限公司是專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)純金屬材料，蒸鍍膜材料以及濺射靶材的技術(shù)企業(yè)應(yīng)用的科技型民營(yíng)股份制工貿(mào)有限公司。公司以青島大學(xué)和青島科技大學(xué)蒸材料專(zhuān)業(yè)為技術(shù)依托，擁有多名中級(jí)專(zhuān)業(yè)技術(shù)人員和專(zhuān)業(yè)化應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室，有很強(qiáng)的蒸材料能力。公司先后研的蒸材料、濺射靶材系列產(chǎn)品廣泛應(yīng)用到國(guó)內(nèi)外眾多知名子、太陽(yáng)能企業(yè)當(dāng)中，以較的價(jià)比，成功替代了國(guó)外進(jìn)口產(chǎn)品，頗受用戶(hù)好評(píng)。

鍍膜鉑靶材Ag靶材

東莞市鼎偉靶材有限公司

聯(lián)系人：肖先生

手機(jī)：18681059472           

話(huà)：0769-88039551

網(wǎng)站：    

郵箱： 

地址：東莞市南城區(qū)民間金融大廈

公司主要經(jīng)營(yíng)產(chǎn)品： 

一、真空鍍膜材料 

1．純真空濺射靶材（99.9％——99.999％）

純金屬靶材：鋯靶Zr、鉻靶Cr、鈦靶Ti、鋁靶Al、錫靶Sn、釩靶V、銻靶Sb、銦靶、硼靶B、鎢靶W、錳靶Mn、鉍靶Bi、銅靶Cu、石墨靶C、硅靶 Si、鉭靶 Ta、鋅靶Zn、鎂靶Mg、鈮靶Nb、鉬靶Mo、鈷靶Co、鐵靶Fe、鍺靶Ge、鉿靶Hf、鉛靶Pb、鎳靶Ni、銀靶Ag、硒靶Se、鈹靶Be、碲靶Te、不銹鋼靶材S.S等……

多元合金靶材： 鈦鋁靶Ti-Al、鈦鋯靶Ti-Zr、鈦硅靶Ti-Si、鈦鎳靶Ti-Ni、鎳鉻靶Ni-Gr、鎳鋁靶Ni-Al、鎳釩靶Ni-V、鎳鐵靶Ni-Fe、鐵鈷靶Fe-Co、鋁硅靶Al-Si、鈦硅靶Ti-Si、鉻硅靶Cr-Si、鋅鋁靶Zn-Al、鈦鋅靶材Ti-Zn、鋁硅銅靶Al-Si-Cu等……

陶瓷濺射靶材：ITO靶、單晶硅靶、多晶硅靶、一氧化硅靶SiO、二氧化硅靶SiO2、二氧化鈦靶TiO2、氧化鋯靶ZrO2、二硼化鈦靶TiB2、氧化鎂靶MgO、碳化硼靶BC、氮化硼靶BN、碳化硅靶SiC、三氧化二釔靶Y2O3、五氧化二釩靶V2O5、氧化鋅靶ZnO、硫化鋅靶ZnS、硫化鉬靶MoS、硫化鎢靶WS、氧化鋅鋁靶ZAO、氧化鋁靶Al2O3、鈦酸鍶靶SrTiO3、五氧化二鉭靶Ta2O5、五氧化二鈮靶Nb2O5、氧化鋅鎵靶ZGO、氧化鋅硼靶ZBO、砷化鎵靶GaAs，磷化鎵靶GaP，硒化鋅靶、錳酸鋰靶、鎳鈷酸鋰靶、鉭酸鋰靶，鈮酸鋰靶、等… 

稀土金屬靶：鑭靶、鈰靶、鐠靶、釹靶、釤靶、銪靶、釓靶、鋱靶、鏑靶、鈥靶、鉺靶、銩靶、鐿靶、镥靶、釔靶等… 

稀土氧化物靶：氧化鑭靶、氧化鈰靶、氧化鐠靶、氧化釤靶、氧化銪靶、氧化釹靶、氧化釓靶、氧化鋱靶、氧化鏑靶、氧化鈥靶、氧化鉺靶、氧化銩靶、氧化鐿靶、氧化镥靶 

金屬膜阻器用Ni-Cr-Si/ Ni-Cr-Mn-Cu濺射靶材：

金屬膜阻器用靶材括阻系列（ZYG）、中阻系列（ZYZ）和低阻系列（ZYC）、超低阻系列（ZYCD）。

2．純光學(xué)鍍膜材料（99.99％——99.999％）

氧化物：一氧化硅、二氧化硅、一氧化鈦、二氧化鈦、三氧化二鈦、五氧化三鈦、二氧化鋯、二氧化鉿、二氧化鈰、二鈦酸鐠、三氧化鎢、五氧化二鉭、五氧化二鈮、三氧化二鈧、三氧化二鋁、三氧化二銦、氧化鐿、氧化鋅、氧化鎂、氧化釓、氧化釤、氧化釹、氧化鈣、氧化鐠、氧化鉍、氧化鉻、氧化鎳、氧化銅、氧化鐵、氧化釩等… 

氟化物：氟化鎂、氟化鈣、氟化釹、氟化鑭、氟化鐿、氟化釔、氟化鉺、氟化釤、氟化鏑、氟化鈰、氟化鋇、氟化鍶、氟化鉀、氟化鈉等… 

硫化物：硫化鋅、硫化鉬、硫化鈣、硫化銻、硫化鐵、硫化鈉等…

純鉑：鉑靶、鉑粒、鉑絲、鉑極、鉑片、鉑粉

純度：3N 、3N5、4N、4N5、5N    T18937853784(不是聯(lián)系方式)

規(guī)格：鉑靶（平面圓靶，方靶，旋轉(zhuǎn)靶，臺(tái)階靶均可加工，規(guī)格戶(hù)要求定做）    鉑粒（規(guī)格Φ2*5mm,Φ2*10mm，其他規(guī)格定做）

      鉑絲（Φ0.2mm、Φ0.3mm、Φ0.5mm、Φ1mm其他規(guī)格定做）

      鉑片（根據(jù)戶(hù)要求定做）

          鉑粉（根據(jù)戶(hù)要求定做）

半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用靶材是靶材市場(chǎng)的主要組 成之一。在1991年的靶材市場(chǎng)銷(xiāo)售額中，有約’"60%為半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用靶材，35%用于記錄介質(zhì)領(lǐng) 域，5%為顯示領(lǐng)域用靶材及其他。近年來(lái)，半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用靶材以近10%的年長(zhǎng)率長(zhǎng)［ 在硅片制成各種晶體管、二極管等元器件后，根據(jù)路設(shè)計(jì)要求，將這些元器件用金屬薄膜線(xiàn)條連接起來(lái)，形成有各種功能的集成路的工藝稱(chēng)為金屬化。金屬化工藝是硅集成路制造工藝中非常重要的環(huán)節(jié)。金屬化系統(tǒng)和金屬化工藝的優(yōu)劣 會(huì)影響路的能和可靠。

氧化鋯陶瓷        

濺射靶材          

黃金靶材    

工業(yè)陶瓷       

靶材廠(chǎng)家      

靶材          

氧化鋯陶瓷棒      

機(jī)械陶瓷配件  

子槍燈絲         

【原創(chuàng)內(nèi)容】
能重復(fù)使用。當(dāng)我們收到用戶(hù)提供的已使用過(guò)的背靶后，我們會(huì)首先進(jìn)行卸靶處理（如適用）并且對(duì)背靶進(jìn)行wq檢查，檢查的重點(diǎn)括背靶的平整度，完整及密封等。我們會(huì)通知物覆蓋面積加。在一定功率的況下，參與化合物生成的反應(yīng)氣體量加，化合物生成率加。如果反應(yīng)氣體量加過(guò)度，化合物覆蓋面積加，如果不能及時(shí)調(diào)整反應(yīng)氣體流量，物覆蓋面積加。在一定功率的況下，參與化合物生成的反應(yīng)氣體量加，化合物生成率加。如果反應(yīng)氣體量加過(guò)度，化合物覆蓋面積加，如果不能及時(shí)調(diào)整反應(yīng)氣體流量，清潔。第四步在qc完有污垢的區(qū)域后，再用壓低水氣的氬氣沖洗靶材，以除去所有可能在濺射系統(tǒng)中會(huì)造成起弧的雜質(zhì)粒三、靶材安裝靶材安裝過(guò)程中最重要的意事項(xiàng)是一定其是采用金屬銦進(jìn)行帖合的比較容易進(jìn)行清潔和重使用。如果是采用其他帖合劑（括環(huán)氧樹(shù)脂）則可能需要采用機(jī)械處理的方式對(duì)背靶表面處理后才能重復(fù)使用。當(dāng)我們收到用戶(hù)氣體(氬氣或氧氣)必須清潔并干燥，濺鍍腔內(nèi)裝入基材后便需將空氣抽出，達(dá)到工藝所要求的真空度。暗區(qū)屏蔽罩，腔體壁及鄰近表面也需要保持潔凈。在清洗真空腔體時(shí)我們建議采用。靶材進(jìn)行預(yù)濺射時(shí)建議慢慢加大濺射功率，陶瓷類(lèi)靶材的功率加大速率建議為1.5W時(shí)/平方厘米。金屬類(lèi)靶材的預(yù)濺射速度可以比陶瓷靶材塊，一個(gè)合理的功率加大速率為時(shí)建議使用工業(yè)吸塵器進(jìn)行輔助清潔。展金屬生產(chǎn)的靶材采用真空密封塑料袋裝,內(nèi)置防潮劑。使用靶材時(shí)請(qǐng)不要用手直接接觸靶材。意：使用靶材時(shí)請(qǐng)配帶干凈而且不會(huì)起絨