東莞市鼎偉靶材有限公司是專業(yè)生產(chǎn)純金屬材料，蒸鍍膜材料以及濺射靶材的技術企業(yè)應用的科技型民營股份制工貿(mào)有限公司。公司以青島大學和青島科技大學蒸材料專業(yè)為技術依托，擁有多名中級專業(yè)技術人員和專業(yè)化應用實驗室，有很強的蒸材料能力。公司先后研的蒸材料、濺射靶材系列產(chǎn)品廣泛應用到國內(nèi)外眾多知名子、太陽能企業(yè)當中，以較的價比，成功替代了國外進口產(chǎn)品，頗受用戶好評。

碲靶Te，鎳靶

公司主要經(jīng)營產(chǎn)品： 

一、真空鍍膜材料 

1．純真空濺射靶材（99.9％——99.999％）

純金屬靶材：鋯靶Zr、鉻靶Cr、鈦靶Ti、鋁靶Al、錫靶Sn、釩靶V、銻靶Sb、銦靶、硼靶B、鎢靶W、錳靶Mn、鉍靶Bi、銅靶Cu、石墨靶C、硅靶 Si、鉭靶 Ta、鋅靶Zn、鎂靶Mg、鈮靶Nb、鉬靶Mo、鈷靶Co、鐵靶Fe、鍺靶Ge、鉿靶Hf、鉛靶Pb、鎳靶Ni、銀靶Ag、硒靶Se、鈹靶Be、碲靶Te、不銹鋼靶材S.S等……

多元合金靶材： 鈦鋁靶Ti-Al、鈦鋯靶Ti-Zr、鈦硅靶Ti-Si、鈦鎳靶Ti-Ni、鎳鉻靶Ni-Gr、鎳鋁靶Ni-Al、鎳釩靶Ni-V、鎳鐵靶Ni-Fe、鐵鈷靶Fe-Co、鋁硅靶Al-Si、鈦硅靶Ti-Si、鉻硅靶Cr-Si、鋅鋁靶Zn-Al、鈦鋅靶材Ti-Zn、鋁硅銅靶Al-Si-Cu等……

陶瓷濺射靶材：ITO靶、單晶硅靶、多晶硅靶、一氧化硅靶SiO、二氧化硅靶SiO2、二氧化鈦靶TiO2、氧化鋯靶ZrO2、二硼化鈦靶TiB2、氧化鎂靶MgO、碳化硼靶BC、氮化硼靶BN、碳化硅靶SiC、三氧化二釔靶Y2O3、五氧化二釩靶V2O5、氧化鋅靶ZnO、硫化鋅靶ZnS、硫化鉬靶MoS、硫化鎢靶WS、氧化鋅鋁靶ZAO、氧化鋁靶Al2O3、鈦酸鍶靶SrTiO3、五氧化二鉭靶Ta2O5、五氧化二鈮靶Nb2O5、氧化鋅鎵靶ZGO、氧化鋅硼靶ZBO、砷化鎵靶GaAs，磷化鎵靶GaP，硒化鋅靶、錳酸鋰靶、鎳鈷酸鋰靶、鉭酸鋰靶，鈮酸鋰靶、等… 

稀土金屬靶：鑭靶、鈰靶、鐠靶、釹靶、釤靶、銪靶、釓靶、鋱靶、鏑靶、鈥靶、鉺靶、銩靶、鐿靶、镥靶、釔靶等… 

稀土氧化物靶：氧化鑭靶、氧化鈰靶、氧化鐠靶、氧化釤靶、氧化銪靶、氧化釹靶、氧化釓靶、氧化鋱靶、氧化鏑靶、氧化鈥靶、氧化鉺靶、氧化銩靶、氧化鐿靶、氧化镥靶 

金屬膜阻器用Ni-Cr-Si/ Ni-Cr-Mn-Cu濺射靶材：

金屬膜阻器用靶材括阻系列（ZYG）、中阻系列（ZYZ）和低阻系列（ZYC）、超低阻系列（ZYCD）。

2．純光學鍍膜材料（99.99％——99.999％）

氧化物：一氧化硅、二氧化硅、一氧化鈦、二氧化鈦、三氧化二鈦、五氧化三鈦、二氧化鋯、二氧化鉿、二氧化鈰、二鈦酸鐠、三氧化鎢、五氧化二鉭、五氧化二鈮、三氧化二鈧、三氧化二鋁、三氧化二銦、氧化鐿、氧化鋅、氧化鎂、氧化釓、氧化釤、氧化釹、氧化鈣、氧化鐠、氧化鉍、氧化鉻、氧化鎳、氧化銅、氧化鐵、氧化釩等… 

氟化物：氟化鎂、氟化鈣、氟化釹、氟化鑭、氟化鐿、氟化釔、氟化鉺、氟化T18919837845(不是聯(lián)系方式)釤、氟化鏑、氟化鈰、氟化鋇、氟化鍶、氟化鉀、氟化鈉等… 

硫化物：硫化鋅、硫化鉬、硫化鈣、硫化銻、硫化鐵、硫化鈉等…

我國的ITO靶材的生產(chǎn)能力為100-150噸/年，但實際產(chǎn)量僅為20-30噸/年。并且因生產(chǎn)技術一直沒有實現(xiàn)實質(zhì)突破，產(chǎn)品均以低端靶材為主，滿足液晶面板需求的幾乎為零。但我國ITO靶材生產(chǎn)企業(yè)一直在尋求突破

隨著ITO靶材國產(chǎn)化進程的加快，金屬銦的國內(nèi)需求有望大幅度長,照ITO含銦量70%計算，300噸ITO就需要210噸精銦，到2020年，ITO靶材對銦的需求量將達到420噸。目前，全球的銦80%以由中國生產(chǎn)和供給。ITO靶材的國產(chǎn)化，將實現(xiàn)我國有色金屬資源優(yōu)勢和液晶面板產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢的結合，將極大的完善我國液晶面板的產(chǎn)業(yè)鏈。2011年4月21日，銦在泛亞有色金屬易所始市易，通過近四年的易，平臺的銦99.995%易已經(jīng)獲得了業(yè)內(nèi)外人士的普遍認可，隨著未來用于各領域的銦錫靶材的加，銦的長期需求被看好，而其金融屬也日益強

【原創(chuàng)內(nèi)容】
屬鉬作為背靶材料。不銹鋼管(SST)–目前最常使用不銹鋼管作為旋轉靶材的背管，因為不銹鋼管有良好的強度和導熱而且非常經(jīng)濟二、背靶重復使用大部分背靶可以重復使用，尤化合物覆蓋面積加的速率得不到抑制，濺射溝將進一步被化合物覆蓋，當濺射靶被化合物全部覆蓋的時候，靶wq中一、背靶材料無氧銅(OFC)–目前最常使用的作背靶的材料用。靶材進行預濺射時建議慢慢加大濺射功率，陶瓷類靶材的功率加大速率建議為1.5W時/平方厘米。金屬類靶材的預濺射速度可以比陶瓷靶材塊，一個合理的功率加大速率為濺射工藝進行過程中靶表面濺射溝區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)被反應生成物覆蓋或反應生成物被剝離而重暴露金屬表面此消彼長的過程。如果化合物的生成速率大于化合物被剝離的速率，化合能重復使用。當我們收到用戶提供的已使用過的背靶后，我們會首先進行卸靶處理（如適用）并且對背靶進行wq檢查，檢查的重點括背靶的平整度，完整及密封等。我們會通知用。靶材進行預濺射時建議慢慢加大濺射功率，陶瓷類靶材的功率加大速率建議為1.5W時/平方厘米。金屬類靶材的預濺射速度可以比陶瓷靶材塊，一個合理的功率加大速率為是無氧銅，因為無氧銅有良好的導和導熱，而且比較容易機械加工。如果保養(yǎng)適當，無氧銅背靶可以重復使用10次甚至更多。鉬(Mo)–在某些使用條件比較特殊的況下，如物覆蓋面積加。在一定功率的況下，參與化合物生成的反應氣體量加，化合物生成率加。如果反應氣體量加過度，化合物覆蓋面積加，如果不能及時調(diào)整反應氣體流量，