KRi RFICP 220
上海伯東代理美國(guó)原裝進(jìn)口 KRi RFICP 220 高能量柵極離子源, 適用于離子濺鍍, 離子沉積和離子蝕刻. 在離子束濺射工藝中, RFICP 220 配有離子光學(xué)元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實(shí)現(xiàn)更佳的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 離子光學(xué)元件能夠完成發(fā)散和聚集離子束的任務(wù). 標(biāo)準(zhǔn)配置下 RFICP 220 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 1000 mA.

KRI RFICP 220 技術(shù)參數(shù):
陽極
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電感耦合等離子體
2kW & 2 MHz
射頻自動(dòng)匹配
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陽極功率
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>1kW
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離子束流
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> 1000mA
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電壓范圍
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100-1200V
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離子束動(dòng)能
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100-1200eV
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氣體
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Ar, O2, N2, 其他
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流量
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5-50 sccm
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壓力
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< 0.5mTorr
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離子光學(xué), 自對(duì)準(zhǔn)
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OptiBeamTM
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離子束柵極
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22cm Φ
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柵極材質(zhì)
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鉬
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離子束流形狀
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平行,聚焦,散射
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中和器
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LFN 2000, MHC 1000
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高度
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30 cm
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直徑
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41 cm
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鎖緊安裝法蘭
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10”CF
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KRI RFICP 220 基本尺寸


KRI RFICP 220 應(yīng)用領(lǐng)域:
預(yù)清洗
表面改性
輔助鍍膜 (光學(xué)鍍膜) IBAD,
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE
射頻離子源 RFICP 220 集成于半導(dǎo)體設(shè)備, 實(shí)現(xiàn) 8寸芯片蝕刻

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)寬束離子源, 根據(jù)設(shè)計(jì)原理分為, 和. 美國(guó)歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專利. KRi 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光工藝 IBF 等領(lǐng)域, 上海伯東是美國(guó) KRi 中國(guó)總代理.